电子元件符号大全（辨认图）

  导电体对电流的阻止效果称为电阻，用符号R表明，单位为欧姆、千欧、兆欧，别离用、K、M表明。一、电阻的类型命名办法：

  国产电阻器的类型由四部分所组成(不适用灵敏电阻)榜首部分：主称 ，用字母表明，表明产品的姓名。如R表明电阻，W表明电位器。第二部分：资料 ，用字母表明，表明电阻体用什么资料组成，T-碳膜、H-组成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-堆积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表明，单个类型用字母表明，表明产品归于什么类型。1-一般、2-一般、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精细、7-精细、8-高压、9-特别、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表明，表明同种类型的产品中不同种类，以区别产品的外型尺度和性能指标等 例如：R T 1 1 型一般碳膜电阻

  电容是电子设备中很多运用的电子元件之一，大范围的应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转化，控制电路等方面。用C表明电容，电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10^6uF=10^12pF

  电容器的类型命名办法 国产电容器的类型一般由四部分所组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。顺次别离代表称号、资料、分类和序号。 榜首部分：称号，用字母表明，电容器用C。 第二部分：资料，用字母表明。 第三部分：分类，一般用数字表明，单个用字母表明。 第四部分：序号，用数字表明。 用字母表明产品的资料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它资料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

  电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线相互相互绝缘，而绝缘管可所以空心的，也能够包括铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表明，单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。

  电感的分类 按 电感方式 分类：固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按 工作性质 分类：天线线圈、振动线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按 绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。

  电感线、电感量L 电感量L表明线圈自身固有特性，与电流的巨细无关。除专门的电感线圈(色码电感)外，电感量一般不专门标示在线圈上，而以特定的称号标示。 2、感抗XL 电感线圈对沟通电流阻止效果的巨细称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和沟通电频率f的关系为XL=2fL 3、质量要素Q 质量要素Q是表明线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等要素相关。线圈的Q值一般为几十到几百。 4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因此线圈的分布电容越小越好。

  我国半导体器材类型命名办法半导体器材类型由五部分(场效应器材、半导体特别器材、复合管、PIN型管、激光器材的类型命名只要第三、四、五部分)组成。五个部分含义如下：榜首部分：用数字表明半导体器材有用电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表明半导体器材的资料和极性。表明二极管时：A-N型锗资料、B-P型锗资料、C-N型硅资料、D-P型硅资料。表明三极管时：A-PNP型锗资料、B-NPN型锗资料、C-PNP型硅资料、D-NPN型硅资料。第三部分：用汉语拼音字母表明半导体器材的内型。P-一般管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-地道管、N-阻尼管、U-光电器材、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、G-高频小功率管(f3MHz,Pc1W)、D-低频大功率管(f3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管(f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器材、B-雪崩管、J-阶跃康复管、CS-场效应管、BT-半导体特别器材、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器材。第四部分：用数字表明序号第五部分：用汉语拼音字母表明标准号例如：3DG18表明NPN型硅资料高频三极管