东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET适用于带有USB的设备和电池组维护

  东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备和电池组维护

  我国上海，2023年11月7日——东芝电子元件及存储设备株式会社（“东芝”）今天宣告，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备和电池组维护。该产品于今天开端支撑批量出货。

  到现在，东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线V产品，大多数都用在智能手机锂离子电池组的维护。30V产品的发布为电压高于12V的运用供给了更广泛的挑选，如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池组维护。

  完成具有低漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）的双向开关需求两个具有低RDS(ON)的MOSFET，尺度为3.3mmÍ3.3mm或2mmÍ2mm。东芝的新产品选用细巧纤薄的新式封装TCSPAG-341501（3.37mmÍ1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）），一起在单封装共漏极结构中搭载电阻值为9.9mΩ（典型值）的源极-源极导通电阻（RSS(ON)）。

  USB PD（USB Power Delivery）专关于需求高功率供电的设备而开发，能够给我们供给从15W（5V/3A）直至最大240W（48V/5A）的功率。USB PD具有人物交流功用，支撑电源侧和接纳侧的交换，要求USB充电设备能够双向供电，以便能够一起支撑电力传输和电力接纳。此次新产品便是一款支撑双向供电，表贴面积较小的N沟道共漏极MOSFET。

  TCK42xG系列中的驱动IC相结合可构成具有防回流功用的负载开关电路或能够在先合后断（MBB）和先断后合（BBM）之间切换操作的电源多路复用器电路。根据这样的产品组合，东芝于今天发布了适用于电源多路复用器电路的参阅规划（运用共漏极MOSFET）。运用该参阅规划有助于缩短产品规划与开发时刻。