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英诺赛科发布100V VGaN支持48V BMS应用

时间: 2023-10-13 15:19:53 |   作者: 半岛全站官网平台首页登录网址

  ,可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高效应用。

  英诺赛科产品部Shawn表示:“一颗 VGaN 可以替代两颗共漏连接的背靠背SiMOSFET,实现电池充电和放电双向开关,进一步减小导通电阻,降低损耗。VGaN 器件采用单 Gate 设计,经过控制 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑,实现充电保护可放电、放电保护可充电;同时大幅度减少器件数量,缩小占板面积,降低整体系统成本。”

  为便于客户验证和导入,英诺赛科同步提供 BMS 系统解决方案,设计的具体方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。INV100FQ030A 在电池管理系统 (BMS) 中体现出明显优势,具备巨大的市场潜力。

  英诺赛科100V氮化镓系列新产品已量产三款WLCSP 封装产品(INN100W032A、INN100W027A 和 INN100W070A),两款 FCQFN 封装产品(INN100FQ016A、INN100FQ025A)。当前新增一款FCQFN 封装双向导通 VGaN芯片INV100FQ030A,进一步丰富了 100V InnoGaN 系列,扩大应用场景范围,也为更广泛的场景提供选择。基于持续创新与核心技术的提升,英诺赛科8英寸氮化镓IDM模式将加速应用系统小型化、更高效、更节能。

  目前,INV100FQ030A 已进入小批量试产,如需申请样品,或查询详细的产品规格书、可靠性报告、仿真模型、VGaN BMS系统Demo方案等资料,能够最终靠微信公众号私信/留言联系获取。

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